东流影院 三星运转量产第九代QLC V-NAND闪存芯片

三星已运转量产用于下一代大容量固态硬盘的新式 QLC V-NAND 芯片。该制造商在官方博客中称东流影院，其第九代 QLC V-NAND 荟萃了东说念主工智能期间的\"多项打破性期间\"，在密度提高、容量增大、速率普及和能耗裁汰等方面罢了了多项校正。

继2024 年 4 月运转分娩的第九代 TLC V-NAND 内存之后，又推出了新的 1Tb quad-level cell (QLC) V-NAND 芯片。三星默示，新的 QLC 芯片将\"欢快东说念主工智能期间的需求\"，尤其是在企业固态硬盘商场。三星公司闪存家具与期间推行 IP SungHoi Hur 就该公司下一代 QLC V-NAND 内存芯片的推开赴表了以下主张：

QLC 第 9 代 V-NAND 的告捷量产仅比 TLC 版块晚四个月，这使咱们好像提供欢快东说念主工智能期间需求的全系列先进固态硬盘不竭决策。跟着企业级固态硬盘商场的快速增长和东说念主工智能期骗需求的不竭增长，咱们将陆续通过咱们的 QLC 和 TLC 第 9 代 V-NAND 妥当咱们在该细分商场的开发地位。

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收获于三星的沟说念孔蚀刻期间，第九代四级单位的密度比上一代 QLC V-NAND 芯片跨越 86%。三星还优化了各层单位特质，使数据保留性能提高了约 20%。终末，由于吸收了推断和纵脱存储单位景色的推断法子期间，芯片的输入/输出速率提高了约 60%。

至于功耗这一迁徙修复的要害特质，三星宣称，由于吸收了低功耗想象并裁汰了电压条目，读取和写入能耗差别裁汰了 30% 和 50%。

天然领先的要点是企业商场，但三星还缱绻将第 9 代 QLC V-NAND 存储器芯片的期骗彭胀到消耗类家具，如大容量固态硬盘和用于当代智妙手机的 UFS（通用闪存）。